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2.4 抗干扰性能
a. 脉冲群干扰试验:能承受GB/T14598.13-1998规定的频率为1MHz 及100kHz衰减振荡波(**半波电压幅值共模为2.5kV,差模为1kV)脉冲群干扰试验。
b. 快速瞬变干扰试验:能承受GB/T14598.10-2007*四章规定的严酷等级为A级的快速瞬变干扰试验。
c. 辐射电磁场干扰试验:能承受GB/T14598.9-2002*四章规定的严酷等级的辐射电磁场干扰试验。
d. 静电放电试验:能承受GB/T14598.14-1998中4.1规定的严酷等级为Ⅲ级的静电放电试验。
e. 电磁发射试验:能承受GB/T14598.16-2002中4.1规定的传导发射限值及4.2规定的辐射发射限值的电磁发射试验。
f. 工频磁场抗扰度试验:能承受GB/T17626.8-2006*5章规定的严酷等级为Ⅳ级的工频磁场抗扰度试验。
g. 脉冲磁场抗扰度试验:能承受GB/T17626.9-1998*5章规定的严酷等级为Ⅳ级的脉冲磁场抗扰度试验。
h. 阻尼振荡磁场抗扰度试验:能承受GB/T17626.10-1998*5章规定的严酷等级为Ⅳ级的阻尼振荡磁场抗扰度试验。
i. 浪涌抗扰度试验:能承受IEC 60255-22-5:2002*4章规定的严酷等级的浪涌抗扰度试验。
j. 传导骚扰的抗扰度试验:能承受IEC 60255-22-6:2001*4章规定的射频场感应的传导骚扰的抗扰度试验。
k. 工频抗扰度试验:能承受IEC 60255-22-7:2003*4章规定的工频抗扰度试验。
CPU 插件主要由以下几部分构成:
1) CPU 系统
CPU 系统由微处理器CPU、RAM、ROM、Flash Memory 等构成。高性能的微处理器CPU(32位),大容量的ROM(512K字节)、RAM(1M字节)及Flash Memory(1M 字节),使得该CPU 模件具有较强的数据处理及记录能力,可以实现各种复杂的故障处理方案和记录大量的故障数据。Flash Memory中可记录的录波报告为8至50个,可记录的事件数不少于1000条。保护定值等运行配置信息也存入该存储器中,这些信息在装置掉电后均不会丢失。C语言编制的保护程序,使程序具有很强的可靠性、可移植性和可维护性。
2) 数据采集系统
本装置的数据采集系统由两部分组成。
保护系统采用的数据采集系统由高可靠性的高精度的A/D转换器、多路开关及滤波回路组成,较新技术的A/D转换芯片内部包含了采样保持及同步电路,具有转换速度快、采样偏差小、**小功耗及稳定性好等特点,故本装置的采样回路无可调整元件,也不需要在现场作调整,具备高度的可靠性。